世界的に定評のあるFundamentals of Modern VLSI Devicesの第3版の翻訳書.改訂にあたっては,全体の構成も見直し,学びやすいように順序立てを行っている.さらに,高誘電率 (high-κ) ゲート絶縁膜,メタルゲート技術,ひずみシリコン移動度,MOSFETの非GCAモデリング,短チャネルFinFET,およびSOI上の対称横型バイポーラトランジスタといった話題が新たに追加されている.電子デバイスの開発や研究に携わる技術者,研究者,学生に向けた座右の書.
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