半導体デバイスの基礎 中
ダイオードと電界効果トランジスタ
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- 出版社
- 丸善出版
- 著者名
- ベティ・リーズ・アンダーソン , リチャード・Ｌ．アンダーソン , 樺沢宇紀
- 価格
- 5,280円（本体4,800円+税）
- 発行年月
- 2012年3月
- 判型
- Ａ５
- ISBN
- 9784621061565
半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では前半にダイオードの動作原理と動作特性について、誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では代表的な３端子素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして現実的な微細素子の特性に至るまで論じる。ＣＭＯＳ回路やメモリー（記憶装置）への応用も簡単に紹介。
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